Yapay zekâ sistemleri hem veri merkezlerinde hem de cihaz tarafında belleklerden giderek daha fazla hız ve bant genişliği bekliyor. Dünyanın önde gelen bellek üreticilerinden Samsung, bu beklentiye yanıt vermek için Z-NAND teknolojisini üç ayrı tipe bölerek geliştiriyor: Z-NAND-O, Z-NAND-T ve Z-NAND-I.

Z-NAND-O'nun konsepti, Ağustos ayında düzenlenen bir etkinlikte ilk kez görücüye çıkmıştı. Üç sürümün her biri farklı bir performans ölçütünü merkeze alıyor.

Z-NAND-O: Cihaz üzerinde çalışan yapay zekâya odak

samic1

Z-NAND-O, telefonların ve diğer mobil cihazların kendi üzerinde yürüttüğü yapay zekâ işlemleri için tasarlanıyor. NAND yongalarını 4 ya da 8 katman hâlinde dikey yönde üst üste yerleştiren yapı, anlık veri aktarımını hızlandırırken güç tüketimini aşağı çekmeyi amaçlıyor.

Veri merkezleri için Z-NAND-T ve Z-NAND-I

Z-NAND-T, yüksek işlem hacmi ve geniş veri akışıyla öne çıkıyor. Muazzam veri yığınlarını kısa sürede taşıması gereken yapay zekâ veri merkezleri bu sürümün hedef kitlesini oluşturuyor.

Z-NAND-I ise saniye başına gerçekleşen girdi/çıktı işlem sayısını yükseltmeye yöneliyor. Böylece aynı anda çok sayıda okuma ve yazma isteğinin işlendiği veri tabanı ile yapay zekâ sunucu ortamlarında performans artışı sağlanması hedefleniyor.

SK Hynix de aynı yönde ilerliyor

Samsung bu yarışta tek değil. Rakip üretici SK Hynix, "AI-NAND Family" adını taşıyan bir seri hazırlıyor. Bu ailede AIN P performansı, AIN D depolama yoğunluğunu, AIN B ise bant genişliğini merkeze alıyor.

Bellek devlerinin yapay zekâ odaklı bu ayrışması, farklı iş yüklerinin artık kendine özel bellek çözümlerine ihtiyaç duyduğuna işaret ediyor.