L'intelligence artificielle réclame toujours plus de vitesse et de bande passante à la mémoire flash NAND, qu'il s'agisse des centres de données ou des appareils eux-mêmes. Pour y répondre, Samsung — l'un des premiers fabricants de mémoire au monde — décline sa technologie Z-NAND en trois variantes distinctes : Z-NAND-O, Z-NAND-T et Z-NAND-I.

Le concept de Z-NAND-O avait été présenté pour la première fois lors d'un événement organisé en août. Chacune des trois versions place un critère de performance différent au cœur de sa conception.

Z-NAND-O : la mémoire pensée pour l'IA embarquée

samic1

Z-NAND-O cible les traitements d'IA exécutés directement sur les téléphones et autres appareils mobiles. Son architecture empile les puces NAND verticalement, en 4 ou 8 couches, afin d'accélérer les transferts de données instantanés tout en contenant la consommation d'énergie.

Z-NAND-T et Z-NAND-I : le duo des centres de données

Z-NAND-T se distingue par son débit élevé et sa capacité à traiter de larges flux de données. Elle vise les centres de données dédiés à l'IA, contraints de déplacer des masses de données considérables en très peu de temps.

Z-NAND-I, de son côté, mise sur le nombre d'opérations d'entrée/sortie par seconde — les IOPS, un indicateur clé de la réactivité d'un stockage. L'objectif : gagner en performance dans les environnements de serveurs de bases de données et d'IA, où de très nombreuses requêtes de lecture et d'écriture sont traitées simultanément.

SK Hynix emprunte la même voie

Dans cette course, Samsung n'est pas seul. Son concurrent SK Hynix prépare lui aussi une gamme dédiée, baptisée « AI-NAND Family ». Elle se compose d'AIN P, centré sur la performance, d'AIN D, orienté densité de stockage, et d'AIN B, qui met l'accent sur la bande passante.

Ce découpage des mémoires autour de l'intelligence artificielle signale une évolution de fond : les différentes charges de travail exigent désormais des solutions mémoire qui leur sont propres.