L'intelligenza artificiale chiede alle memorie velocità e larghezza di banda sempre maggiori, sia nei data center sia direttamente sui dispositivi. Per rispondere a questa domanda, Samsung — uno dei maggiori produttori di memoria al mondo — ha scelto di dividere la propria tecnologia Z-NAND in tre varianti distinte: Z-NAND-O, Z-NAND-T e Z-NAND-I, ciascuna orientata a un obiettivo prestazionale diverso.

Il concetto alla base di Z-NAND-O era già stato mostrato in anteprima durante un evento svoltosi ad agosto. Le tre versioni, però, non vanno lette come un'unica soluzione: ognuna mette al centro un parametro di prestazione differente.

Z-NAND-O: l'IA che gira sul dispositivo

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La prima variante è pensata per l'IA on-device, ovvero i carichi di lavoro che smartphone e altri dispositivi mobili elaborano direttamente a bordo. La struttura prevede chip NAND disposti verticalmente in stack da 4 o 8 strati: una soluzione che dovrebbe accelerare il trasferimento dei dati in tempo reale e, allo stesso tempo, contenere i consumi.

Z-NAND-T e Z-NAND-I: le due strade dei data center

Z-NAND-T punta invece su throughput elevato e flussi di dati molto ampi. Il bersaglio sono i data center dedicati all'IA, dove occorre spostare masse di dati enormi in tempi molto brevi.

Z-NAND-I lavora su un altro fronte: aumentare il numero di operazioni di input/output al secondo. L'obiettivo è guadagnare prestazioni negli ambienti di database e di server per l'IA, dove molte richieste di lettura e scrittura devono essere elaborate contemporaneamente.

SK Hynix corre nello stesso solco

Samsung non è l'unica a muoversi in questa direzione. La rivale SK Hynix sta preparando una gamma denominata «AI-NAND Family», in cui AIN P si concentra sulle prestazioni, AIN D sulla densità di archiviazione e AIN B sulla larghezza di banda.

La corsa dei due giganti della memoria verso prodotti dedicati all'IA segnala un cambio di paradigma: i diversi carichi di lavoro richiedono ormai soluzioni di memoria progettate su misura.