Künstliche Intelligenz fordert Speicherchips mehr ab als klassische Anwendungen: Sowohl im Rechenzentrum als auch direkt im Endgerät steigen die Ansprüche an Geschwindigkeit und Bandbreite stetig. Samsung zählt zu den weltweit führenden Speicherherstellern und reagiert darauf mit einer Aufspaltung seiner Z-NAND-Technologie in drei eigenständige Varianten: Z-NAND-O, Z-NAND-T und Z-NAND-I.

Jede der drei Ausprägungen setzt dabei einen anderen Leistungsaspekt in den Mittelpunkt. Das Konzept von Z-NAND-O war bereits im August bei einer Veranstaltung erstmals öffentlich zu sehen.

Z-NAND-O: KI direkt im Gerät

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Die erste Variante richtet sich an Smartphones und andere mobile Geräte, die KI-Aufgaben lokal auf dem Gerät erledigen. Dazu stapelt Samsung die NAND-Chips vertikal in 4 oder 8 Schichten übereinander. Dieses Design soll die Datenübertragung in Echtzeit beschleunigen und zugleich den Stromverbrauch senken.

Z-NAND-T und Z-NAND-I für das Rechenzentrum

Z-NAND-T punktet mit hohem Verarbeitungsdurchsatz und breitem Datenfluss. Zielgruppe sind KI-Rechenzentren, die gewaltige Datenmengen in kurzer Zeit bewegen müssen.

Z-NAND-I hingegen zielt auf eine höhere Anzahl von Ein- und Ausgabeoperationen pro Sekunde. Davon sollen vor allem Datenbank- und KI-Serverumgebungen profitieren, in denen sehr viele Lese- und Schreibanfragen gleichzeitig abgearbeitet werden.

SK Hynix verfolgt einen ähnlichen Weg

Mit dieser Strategie ist Samsung nicht allein. Der Konkurrent SK Hynix bereitet eine Serie namens „AI-NAND Family“ vor. Innerhalb dieser Familie legt AIN P den Fokus auf Leistung, AIN D auf Speicherdichte und AIN B auf Bandbreite.

Die KI-orientierte Differenzierung der beiden Speichergiganten zeigt: Unterschiedliche Workloads brauchen künftig offenbar jeweils maßgeschneiderte Speicherlösungen.